The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Theory and Design.
Por: KUMAR KHANNA, Vinod
Editor: Ieee Press / Wiley Interscienc ; 2003Descripción: 626 pClasificación CDD: M_0939Tipo de ítem | Ubicación actual | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Monografías | Bibl. Esp. Ing. Eléctrica | 621.381 528 K94 (Navegar estantería) | 01 /2 | Disponible | M_0939 |
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